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台湾研新股份有限公司
主营：电磁离合器,磁粉离合器,微型电磁离合器
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| 价格： | 来电议定 |
虽然他们的术语确实有所不同，但许多IC制造商要么调整现有的产品线，要么创造全新的产品来解决传感器融合任务。该处理由控制器芯片完成，该芯片可以被识别为MCU，传感器集线器或传感器融合处理器。我们已经看到这种技术应用于智能手机，活动监视器和其他设备的消费市场。技术的融合幸运的是，正如他们在电子产品的其他领域所做的那样，许多IC制造商已经承担了繁重工作的任务。借助现成的传感器融合和传感器集线器芯片，现在可以有效地连接各种数字传感器以及其他路径。创建自己的算法的负担已经消除。
电荷祸合器件CCD的基本原理是在一系列MOS电容器金属电极上，加以适当的脉冲电压，排斥掉半导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动，进而达到信号电荷(少数载流子)的转移。如果所转移的信号电荷是由光像照射产生的，则CCD具备图像传感器的功能;若所转移的电荷通过外界注入方式得到的，则CCD还可以具备、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功能。
电荷耦合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。
假设电荷存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中，如图2(a)所示，加在CCD所有电极上的电压，通常都要保持在高于某一临界值电压Vth，Vth称为CCD阈值电压，设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然，电极①下面的势阱深，如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V，这时，①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度，并合并在一起，原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，(b)和(c)所示，然后再逐渐将电极下面的电压降到2V，使其势阱深度降低，(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中，此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。
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